7月26日上午10：00，英飞凌StrongIRFET™ 2系列产品的技术特性及优势即将在电源网直播解密。
新一代功率MOSFET技术带来比前一代StrongIRFET™ 更高的功率效率，提供高达40%的RDS(on)改进和高达60%的Qg降低，可满足开关电源、电机驱动器、电池供电、电池管理、UPS、轻型电动车和太阳能等多种应用需求。更高的额定电流可实现更高的载流能力，无需再并联多个器件，从而降低BOM成本并节省电路板面积。
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